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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.):

    650

    导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    480

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

    600

    最大漏极电(diàn)流Id(on)(A):

    7

    通道极性:

    N沟道

    封装/温度(dù)(℃):

    TO-252-2L(DPAK)/-55~125

    描(miáo)述:

    650V,600mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET



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